STD150NH02LT4

当您的电源管理方案需要同时兼顾高电流承载与极低的导通损耗时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您推荐STD150NH02LT4，这颗源自ST意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛的高效能量转换挑战而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效、缩小产品体积、增强可靠性的关键引擎。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器、高效的电机驱动模块或是要求严苛的负载开关应用中，电流高达150A，但导通电阻却低至惊人的3.5毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式被浪费，意味着您的系统可以运行得更凉爽、更持久。STD150NH02LT4凭借其卓越的STripFET III技术，在24V的电压平台上，实现了功率密度与效率的完美平衡。其高达175°C的结温工作范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和鲁棒性，让您的设计从容应对从工业自动化到高端消费电子的各种复杂场景。

选择STD150NH02LT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定品质。它5V的低栅极驱动电压特性，让您能够轻松搭配主流控制器，简化驱动电路设计。同时，其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，是表面贴装工艺下的理想选择。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获得有保障的库存和专业技术支持，确保您的项目供应链稳定，无后顾之忧。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品核心动力注入顶尖科技的战略决策。

• 型号:STD150NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 150A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD150NH02LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。