STP20NM60A

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为功率开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个集高耐压、低损耗与卓越热管理于一身的解决方案，将如何彻底改变您的产品表现。今天，我们向您隆重介绍STP20NM60A，这颗源自意法半导体MDmesh技术家族的N沟道功率MOSFET，正是为突破极限而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键引擎。

无论是工业电机驱动中需要承受频繁启停的严苛考验，还是开关电源（SMPS）里对转换效率和功率密度的不懈追求，甚至是照明镇流器或电焊机等对可靠性与成本控制同样敏感的应用，STP20NM60A都能游刃有余。其650V的高漏源电压为您提供了充足的电压裕度，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让您的设计在面对复杂工况时依然坚如磐石。而20A的连续漏极电流能力，则确保了充沛的功率吞吐，轻松驱动各类负载。

选择STP20NM60A，意味着您选择了一种经市场验证的卓越价值。其TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，高达192W的功率耗散能力让热量不再是性能的枷锁。更低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，为您节省每一分能源成本。同时，优化的栅极电荷特性有助于简化驱动电路设计，让开关过程更快、更干净，进一步提升整体性能。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗明星产品，专业的ST中国代理将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STP20NM60A
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM60A的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。