STD170N4F7AG

当您的下一代汽车电子或工业电源系统需要一颗能在严苛环境下稳定输出澎湃动力的“心脏”时，您会如何选择？答案就藏在STD170N4F7AG这颗性能卓越的功率器件之中。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是意法半导体STripFET技术家族中，专为高可靠性应用而生的悍将，以其高达80A的连续漏极电流和仅为2.8毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的效率提升与能量掌控力。

想象一下，在电动汽车的电机驱动模块中，每一次精准的加速与能量回收，都离不开高效、快速的功率开关。STD170N4F7AG正是为此而生，其N沟道设计和40V的漏源电压，完美适配48V车载系统及各类DC-DC转换场景。在工业自动化领域，从伺服驱动器到不间断电源（UPS），它都能以极低的损耗处理大电流，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。即便面对-55°C至175°C的极端温度挑战，它依然能保持稳定，确保您的设备在冰天雪地或炎炎夏日下持续可靠运行。

选择STD170N4F7AG，就是选择了一份由意法半导体汽车级（AEC-Q101）认证背书的质量承诺。它采用坚固的DPAK封装，易于表面贴装，能帮助您简化生产流程，加速产品上市。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，为现有产品的维护与升级保驾护航。这颗芯片的价值，在于它用强悍的性能参数，为您构建起系统效率的坚实基石，让动力传输更直接，让能源利用更彻底，最终让您的终端产品在市场上更具竞争力与生命力。

• 型号:STD170N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:172W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD170N4F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。