STD19NF20

您是否正在为电源转换效率的瓶颈而烦恼？当系统需要处理高达200V的电压和15A的连续电流时，选择一款性能卓越、稳定可靠的功率开关器件，往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款在工业电源、电机驱动等领域久经考验的经典之选STD19NF20。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体MESH OVERLAY技术家族的杰出代表，以其卓越的电气性能和坚固的物理特性，为您的设计注入强大动力。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，这颗芯片能够轻松应对200V的漏源电压，其低至160毫欧的导通电阻（在7.5A，10V条件下），意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。这直接转化为更低的温升和更长的系统寿命，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。无论是服务器电源、工业变频器，还是电动工具和汽车电子中的辅助电源模块，STD19NF20都能凭借其高达90W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，在各种严苛环境下稳定运行，确保系统可靠性的万无一失。

为什么众多工程师在面临关键功率路径设计时，会持续信赖并选择这款产品？答案在于其背后强大的技术支撑与价值体现。MESH OVERLAY工艺带来了优异的开关特性和坚固性，而仅24nC的低栅极电荷（在10V条件下）与800pF的输入电容，意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。采用表面贴装DPAK封装，它不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源和全面的技术支持，为您的现有产品维护和特定项目需求提供坚实保障。选择STD19NF20，就是选择了一份经过时间验证的性能承诺，让您的设计建立在经典与可靠的基础之上。

• 型号:STD19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 200V 15A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD19NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。