STP140NF75

在追求极致效率的电力转换世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？当系统需要处理高达120A的连续电流时，每一个毫欧的导通电阻都意味着能量的浪费与成本的增加。现在，这一切有了全新的答案来自ST意法半导体STripFET III家族的明星产品STP140NF75，正以其卓越的性能，重新定义75V功率应用的效率标杆。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，一颗MOSFET需要承受严苛的电流冲击与热应力。STP140NF75正是为此而生。它凭借仅7.5毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），在70A的大电流和10V驱动电压下，将导通损耗降至极低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达310W的功率耗散能力，配合宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了即使在最恶劣的环境下也能稳定运行，为您的设计注入强大的可靠性基因。

选择STP140NF75，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一套经过市场验证的高效解决方案。其优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让您的系统开关频率得以提升，从而可以使用更小的磁性元件，实现整体方案的小型化与成本优化。经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能与广泛的工艺兼容性，让升级换代或新设计导入都变得轻松顺畅。如果您正在寻找稳定可靠的供货与技术支援，我们作为专业的ST芯片代理，将为您提供从样品到量产的全方位支持。让STP140NF75成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能驾驭之旅。

• 型号:STP140NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:218 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:310W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP140NF75的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。