STWA75N60DM6

当您的下一个电源设计项目面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案就在STWA75N60DM6之中。这款来自意法半导体MDmesh DM6家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的卓越耐压能力和高达72A的连续漏极电流，为您打开了通往下一代高效能电源系统的大门。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，能量转换的每一瞬间都至关重要。STWA75N60DM6凭借其先进的MDmesh DM6技术，在高压下实现了极低的导通电阻，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更多的能量被有效输送到负载。这种高效能直接转化为更低的运营成本、更小的散热器尺寸以及更紧凑的系统设计。无论是面对严苛的工业环境还是要求7x24小时稳定运行的数据中心，它都能提供坚实可靠的性能基石，让您的设备在激烈的市场竞争中始终保持冷静与高效。

选择STWA75N60DM6，就是选择了一份来自技术前沿的保障。其TO-247长引线封装不仅提供了优异的通流能力和散热性能，也简化了您的PCB布局与装配流程。这颗芯片的价值远不止于参数表上的数字，它代表着更长的产品寿命、更高的系统可靠性以及最终用户的极致体验。当您致力于打造顶尖的电源解决方案时，与可靠的ST代理合作，确保您能获得正品货源与全面的技术支持，让创新之路畅通无阻。现在就拥抱STWA75N60DM6，让它成为您下一个成功产品的强大内核，共同定义能效新标准。

• 型号:STWA75N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 72A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STWA75N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。