STD20N20T4

当您的电源设计需要在高电压下稳定输出大电流，同时还要严格控制发热和空间占用时，您是否在寻找一个可靠、高效的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍意法半导体STripFET II系列中的明星产品STD20N20T4。这颗N沟道功率MOSFET，以其200V的耐压和高达18A的连续漏极电流能力，专为应对严苛的功率开关挑战而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、确保系统可靠性的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是AC-DC适配器还是工业电源，STD20N20T4都能扮演核心的开关角色，高效地完成能量转换。在电机驱动和控制领域，无论是电动工具、风扇还是小型工业电机，它都能提供强劲而精准的驱动能力，确保电机平稳启动、高效运行。其DPAK封装形式，非常适合空间紧凑的现代电子设备，表面贴装工艺让您的生产线装配更快捷、更自动化。即便面对高频率的开关动作，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）也能显著降低开关损耗，让整个系统运行得更“冷静”、更节能。

选择STD20N20T4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。STripFET II技术确保了它在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷之间取得了卓越的平衡，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的效率和更少的热量。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和稳定的性能表现，使其成为许多经典和长生命周期项目的理想选择。通过我们您值得信赖的ST代理，您依然可以获得可靠的货源和专业的技术支持，让这颗久经沙场的“功率悍将”继续为您的创新保驾护航，助您轻松攻克设计难关，赢得市场先机。

• 型号:STD20N20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD20N20T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。