STD20NF10T4

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时兼顾高效率、高可靠性和出色热性能的功率开关解决方案，将如何彻底改变您的电源转换器、电机驱动或DC-DC模块设计。今天，我们为您带来的STD20NF10T4，正是这样一款旨在释放系统潜能、定义性能新标准的N沟道功率MOSFET。

这款来自ST意法半导体STripFET II家族的明星产品，以其100V的漏源电压和高达25A的连续漏极电流能力，为中等功率应用树立了坚实的性能基石。但它的魅力远不止于此，其核心价值在于那低至45毫欧的导通电阻（在15A，10V条件下），这意味着在导通状态下，电能能够以更低的损耗通过，直接转化为更低的发热量和更高的系统整体效率。无论是服务器电源需要应对突发负载，还是工业电机驱动要求平稳启停，亦或是新能源车载充电器追求轻量化与小体积，STD20NF10T4都能游刃有余地嵌入其中，成为能量高效流转的可靠闸门。

选择STD20NF10T4，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷（Qg最大值55nC @10V）与输入电容特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关过程更快、更干净，从而轻松实现更高频率的开关操作，这对于缩小磁性元件尺寸、提升功率密度至关重要。高达85W的功率耗散能力与宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了它在严苛环境下的稳定输出与长久寿命。其表面贴装DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也简化了生产流程。当您需要可靠的货源与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理商网络，将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD20NF10T4成为您下一个成功设计的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能控制新篇章。

• 型号:STD20NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD20NF10T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。