STP60NF06FP

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的发热和损耗而烦恼？想象一下，一个能显著降低导通损耗、提升整体效率的解决方案，将如何为您的产品注入强劲的竞争力。这正是STP60NF06FP诞生的使命它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统性能、优化成本结构的得力助手。

这颗来自ST意法半导体STripFET II家族的N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气参数重新定义了60V应用场景下的性能标准。其低至16毫欧的导通电阻（Rds(on)），意味着在高达30A的连续电流下，它能将导通损耗降至极低水平，让宝贵的电能更多地转化为有效输出，而非令人头疼的热量。无论是服务器电源中要求苛刻的DC-DC转换，还是电动工具、无人机电调中需要快速响应的电机驱动，亦或是汽车辅助系统里的负载开关，STP60NF06FP都能游刃有余，确保系统运行更冷静、更持久、更可靠。

选择STP60NF06FP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用经典的TO-220FP封装，在提供出色散热能力的同时，也兼顾了安装的便利性与空间利用率。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。虽然该型号已不适用于全新设计，但其成熟的工艺、可靠的性能以及可能更具优势的供应条件，使其成为众多升级换代、成本优化项目的理想之选。当您需要稳定可靠的ST产品时，可以信赖专业的ST芯片代理，他们能为您提供完善的技术支持和供应链服务。让STP60NF06FP成为您动力系统中的高效心脏，驱动您的产品迈向更高性能的未来。

• 型号:STP60NF06FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP60NF06FP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。