STD25NF20

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？想象一下，一个能同时驾驭200V高压与18A大电流的开关，却能将导通电阻牢牢控制在125毫欧以内这不仅仅是参数，这是STD25NF20为您带来的现实突破。作为ST意法半导体Automotive系列中的明星产品，它天生就为严苛环境而生，其卓越的STripFET技术确保了从-55°C到175°C的广阔温度范围内稳定输出，让您的设计不再受温度掣肘。

无论是新能源汽车的OBC车载充电器、DC-DC转换模块，还是工业自动化中的电机驱动、不间断电源系统，甚至是高功率LED照明驱动，STD25NF20都能成为其中高效、可靠的能量开关核心。它极低的栅极电荷（仅39nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接转化为系统整体效率的提升和温升的降低。当您需要构建一个既紧凑又强健的电源方案时，这颗通过AEC-Q101车规认证的MOSFET就是信心的保证。

选择STD25NF20，不仅仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一个经过市场验证的解决方案。它平衡了电压、电流、导通电阻与开关特性的黄金组合，让您在功率密度与可靠性之间无需再做艰难取舍。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，非常适合高密度布局。如果您正在寻找一个值得信赖的ST芯片代理合作伙伴来获取这颗优质芯片及其完整的技术支持，那么您已经找到了通往更高能效设计的大门。立即采用STD25NF20，释放您产品的全部潜能，在竞争中赢得关键的能效优势。

• 型号:STD25NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD25NF20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。