STD26P3LLH6

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能在高负载下保持低温、高效转换的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与用户体验。现在，答案就在STD26P3LLH6。这款来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，以其卓越的30V耐压和高达12A的连续漏极电流能力，正成为工程师们设计高效、紧凑型电源系统的秘密武器。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体能效、实现产品差异化的关键支点。

无论是需要精密控制的便携式设备电池保护电路，还是对空间和散热要求严苛的DC-DC转换模块，甚至是高密度集成的电机驱动单元，STD26P3LLH6都能游刃有余。其采用的DeepGATE和STripFET VI技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的30毫欧（@6A,10V），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。在紧凑的DPAK封装内，它实现了高达40W的功率耗散能力，结温可达175°C，让您的设计在高温环境下依然稳定可靠，大幅延长设备寿命并减少散热结构的复杂度。

选择STD26P3LLH6，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺与性能保障。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关特性，显著降低开关损耗，让您的系统效率再上一个台阶。其宽泛的驱动电压范围（4.5V至10V）也提供了极大的设计灵活性。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的ST代理服务网络将随时为您提供从选型到量产的全方位支持。别再让普通的功率器件限制您的创意，拥抱STD26P3LLH6，开启高效、可靠、紧凑的电源管理新纪元，让您的产品在市场中脱颖而出，赢得先机。

• 型号:STD26P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD26P3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。