STL120N8F7

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为功率密度与热管理的平衡而烦恼？想象一下，一颗能够承载120A强大电流，同时将导通损耗降至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的产品性能格局？现在，这一切不再是想象。STL120N8F7的到来，正是为了回应这一挑战。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET F7系列中的性能标杆，以其80V的耐压和极低的4.4毫欧导通电阻，为您的高功率应用注入澎湃而高效的能量核心。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换模块，还是新能源汽车中迅猛发展的车载充电器(OBC)和电机驱动单元，甚至是工业自动化领域里那些需要可靠、持续大电流输出的变频器和电源，STL120N8F7都能游刃有余。其卓越的开关特性与低栅极电荷，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让系统整体效率轻松攀上新高。在空间寸土寸金的现代电子设备中，其先进的PowerFlat（5x6）封装提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积，让您在提升功率等级的同时，无需为散热布局和空间妥协，真正实现“小身材，大能量”的设计哲学。

选择STL120N8F7，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。它宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了其在各种恶劣环境下的稳定性和长寿命，大幅提升了终端产品的可靠性。当您致力于打造领先市场的电源解决方案时，这颗芯片所提供的低损耗、高效率与高功率密度，将成为您产品最坚实的竞争壁垒。若您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST芯片代理合作伙伴将是您将这一尖端技术快速转化为市场优势的得力桥梁。立即采用STL120N8F7，开启您的高效功率设计新篇章，让每一次电流的切换都成为性能的飞跃。

• 型号:STL120N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL120N8F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。