STP16NK65Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP16NK65Z。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的高耐压和13A的连续漏极电流能力，天生就是为应对严苛的工业环境而生。它采用了先进的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）控制在极低的水平，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

想象一下，在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STP16NK65Z正扮演着能量高效转换的核心角色。其高达190W的功率耗散能力，配合TO-220AB的经典封装，确保了强大的散热性能和长期运行的可靠性。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是电焊机等设备，它都能轻松驾驭高频开关动作，提供稳定而强劲的动力输出。选择它，就是为您的核心动力单元选择了一位值得信赖的“守护者”。

那么，在众多功率器件中，为何要特别关注这颗芯片？答案在于其卓越的性能价值比。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着它所需的驱动能量更小，能够显著简化您的驱动电路设计，并进一步提升开关速度，减少开关损耗。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）则赋予了它无与伦比的环境适应性。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场和特定升级项目中依然极具吸引力。如需获取库存或寻找性能相当的替代方案，专业的ST中国代理将是您最可靠的合作伙伴，他们能提供精准的物料支持和专业的技术服务，确保您的项目顺利推进。

• 型号:STP16NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:89 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NK65Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。