STD27N3LH5

想象一下，您的电源管理方案需要一颗能在狭小空间内处理大电流的“心脏”，同时还要保持冷静与高效，这听起来是否像是一个苛刻的挑战？这正是STD27N3LH5诞生的初衷。作为ST意法半导体STripFET V家族的明星成员，这颗N沟道MOSFET以其卓越的性能，重新定义了30V电压等级下的功率密度与效率标准。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统可靠性和能效表现的得力伙伴。

当我们将目光投向实际应用，STD27N3LH5的身影活跃在众多关键领域。无论是服务器电源中要求严苛的DC-DC同步整流环节，还是电动工具、无人机电池管理系统（BMS）中需要快速响应的负载开关，它都能游刃有余。其高达27A的连续漏极电流和低至19毫欧的导通电阻，意味着在电机驱动或LED照明驱动电路中，它能显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效功，而非令人头疼的热量。即使在紧凑的DPAK封装内，它也能在-55°C至175°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的设备从酷寒到炎夏都能持续可靠运行。

那么，在众多选择中，为何工程师们对这颗芯片青睐有加？答案在于它精准平衡了性能、尺寸与驱动简易性。4.5V的低栅极驱动电压使其能与现代低压微控制器轻松对接，而极低的栅极电荷则确保了超快的开关速度，有效减少了开关损耗，提升了整体频率响应。对于追求供应链稳定与专业支持的客户，通过值得信赖的ST代理进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取深入的技术支持。选择STD27N3LH5，就是选择了一种经过市场验证的高效解决方案，它让您的设计在性能巅峰与成本控制之间找到了完美的黄金平衡点，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STD27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD27N3LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。