STD30NE06L

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款兼具高性能与可靠性的功率开关而困扰？当效率每提升1%都意味着显著的成本节约与竞争优势时，选择正确的MOSFET就是制胜的关键。现在，让我们为您介绍一款历经市场验证的经典之选STD30NE06L。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的STripFET技术，在60V/30A的应用舞台上，持续为工程师们提供着稳定而强大的动力支持。

想象一下，在您的电机驱动系统中，它能够轻松应对频繁启停带来的电流冲击；在DC-DC转换器或同步整流应用中，其低至28毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的热量产生和更高的整体效率，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是工业电源、电动工具，还是汽车电子中的辅助系统，这颗芯片都能成为您电路中高效、可靠的“能量阀门”。即便它已进入停产状态，其成熟的设计和广泛的应用基础，依然使其成为许多经典或长生命周期项目中的优选方案，通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取到高质量的货源支持。

选择STD30NE06L的理由清晰而有力。它不仅仅是一个参数列表，更是ST意法半导体深厚技术底蕴的体现。高达175°C的结温（TJ）和55W的功率耗散能力，赋予了它在恶劣环境下稳定工作的资本。5V的低栅极驱动电压使其易于被主流控制器驱动，而优化的栅极电荷（Qg）则有助于降低开关损耗，提升高频下的性能。采用表面贴装DPAK封装，它在提供出色散热能力的同时，也节省了宝贵的PCB空间。当您需要一个久经考验、性能均衡的解决方案来保障产品的长期稳定运行时，这款经典的STripFET MOSFET无疑是值得您信赖的伙伴。

• 型号:STD30NE06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD30NE06L的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。