STD35N3LH5

想象一下，您正在设计的电源模块或电机驱动电路，是否总在效率、尺寸与成本之间艰难权衡？今天，我们为您带来一个能打破平衡的卓越解决方案STD35N3LH5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其30V的漏源电压和高达35A的连续漏极电流承载能力，为您的高效功率转换需求注入了强劲动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的关键钥匙。

当您需要为紧凑型DC-DC转换器、高效的负载点（POL）电源或精密的电机控制单元选择一颗“心脏”时，STD35N3LH5的表现将超出您的预期。其核心优势在于STripFET V技术带来的极低导通电阻在10V驱动电压下，仅16毫欧的Rds(on)值意味着更少的导通损耗和热量产生。这直接转化为更高的系统效率、更长的运行时间以及更小的散热设计压力。无论是驱动无人机上的无刷电机，还是管理便携式设备中的电池功率路径，它都能确保能量以最“顺畅”的方式流动，让每一分电力都物尽其用。

选择STD35N3LH5，就是选择了一份可靠与高效。其4.5V的低栅极驱动电压门槛，使其能轻松兼容主流微控制器和驱动IC，简化您的电路设计。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了超快的开关速度，这对于需要高频PWM控制的应用至关重要，能显著降低开关损耗，提升整体响应性能。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质，确保您的产品在各种工况下稳定运行。我们作为值得信赖的ST中国代理，深知这颗芯片的价值所在，它虽然已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和经典设计中依然闪耀着不可替代的光芒，是您优化现有方案或开发经典型号的智慧之选。

• 型号:STD35N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:725 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD35N3LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。