STU3N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否仍在为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STU3N62K3，这颗N沟道功率MOSFET将以其高达620V的漏源电压和卓越的开关特性，彻底革新您的电源设计方案，为系统注入前所未有的活力与效率。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗芯片就能轻松驾驭高压环境，同时将导通损耗降至最低。STU3N62K3正是为此而生。它采用了先进的SuperMESH3技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至2.5欧姆，这意味着更少的能量以热的形式浪费，更多的能量被有效利用。其极低的栅极电荷（仅13nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关损耗，让您的系统在高频下运行依然冷静、高效。无论是面对工业自动化中严苛的负载变化，还是消费电子中对尺寸和温升的苛刻要求，它都能游刃有余，提供稳定可靠的性能基石。

选择STU3N62K3，就是选择了一份从容与信心。它不仅仅是一个参数优异的元器件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的战略伙伴。其通孔IPAK封装兼顾了优异的散热能力和便捷的装配工艺，高达150°C的结温工作范围赋予了设计者更大的余量，让您的产品无惧高温挑战，寿命更持久。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理至关重要，他们将确保这颗高性能芯片顺利集成到您的蓝图中，助您快速将创新构想转化为市场领先的产品。现在就拥抱STU3N62K3，开启能效新纪元，让每一次开关都成为价值的跃升！

• 型号:STU3N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:385 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。