STP5N95K5

在追求极致能效的电力转换领域，您是否还在为高压开关应用中的损耗和可靠性问题而困扰？现在，一个划时代的解决方案已经到来STP5N95K5，这颗来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其高达950V的漏源电压和仅为2.5欧姆的超低导通电阻，重新定义了高压开关的性能标杆。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、照明镇流器或电机驱动电路中，STP5N95K5能够轻松应对严苛的高压环境。其卓越的开关特性，得益于仅为12.5nC的低栅极电荷和220pF的输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗。这直接转化为系统整体效率的显著提升，让您的终端产品在能耗和发热方面表现更加出色，无论是工业设备还是消费电子，都能获得更长的运行时间和更高的可靠性。选择它，就是为您的电源设计注入一颗强劲而高效的心脏。

为何众多工程师在高压方案中青睐STP5N95K5？答案在于其无与伦比的综合价值。它继承了SuperMESH5技术的精髓，在950V的电压等级下实现了导通电阻与栅极电荷的完美平衡。这种平衡让您在追求高效率的同时，无需在开关损耗上做出妥协。TO-220的经典封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，专业的ST中国代理将是您坚实的后盾，助您将先进技术快速转化为市场优势。从原型设计到批量生产，STP5N95K5都是您值得信赖的伙伴，助您打造出更节能、更紧凑、更具竞争力的下一代产品。

• 型号:STP5N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。