STD35NF3LLT4

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？当电流高达35A的应用场景需要一颗既可靠又高效的开关时，STD35NF3LLT4的出现，正是为终结这些挑战而来。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体STripFET II技术的杰出代表，以其低至19.5毫欧的导通电阻，在10V驱动下轻松驾驭大电流，将导通损耗降至前所未有的低水平，让您的电源转换效率直接跃升一个新台阶。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器模块中，或者在要求严苛的电机驱动控制板上，空间和热管理往往是设计的瓶颈。STD35NF3LLT4采用经典的DPAK封装，非常适合高密度表面贴装，而其高达50W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，赋予了它无与伦比的鲁棒性和环境适应性。无论是服务器电源中的同步整流，还是电动工具中需要频繁启停的电机，这颗芯片都能以稳定的性能和极低的发热量，确保系统长时间可靠运行，大幅延长终端产品的使用寿命。

选择STD35NF3LLT4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它拥有30V的漏源电压和±16V的栅极耐压，为设计提供了充足的安全裕度。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松达到更高频率，从而可以使用更小的磁性元件，实现系统整体的小型化和成本优化。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑，使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行咨询与采购，为您的成功产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STD35NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD35NF3LLT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。