STD35P6LLF6

当您的电源管理设计面临效率瓶颈，或是在紧凑空间内需要处理高功率负载时，是否曾渴望一颗既能承载大电流、又能保持极低损耗的“心脏”？答案就在STD35P6LLF6。这颗来自意法半导体STripFET F6系列的P沟道功率MOSFET，正是为突破传统限制、释放系统潜能而生。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的关键引擎。

想象一下，在工业自动化设备的电机驱动模块中，或者在通信基站紧凑的冗余电源单元里，STD35P6LLF6正以其卓越的性能默默工作。其高达60V的漏源电压和35A的连续漏极电流能力，让它轻松应对严苛的负载切换与功率分配任务。无论是电动工具、DC-DC转换器，还是电池管理系统中的负载开关，这颗芯片都能提供坚实的功率处理基础。其P沟道特性更简化了高端驱动的电路设计，让您的布局更灵活，系统更精简。

选择STD35P6LLF6，就是选择了一份对效率和可靠性的双重承诺。其核心魅力在于STripFET F6技术带来的超低导通电阻在10V驱动下仅28毫欧，这意味着更少的导通损耗和发热，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间。同时，优化的栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，减少了开关损耗，让您的系统响应更迅捷。高达175°C的结温和70W的功率耗散能力，赋予了它出色的热稳定性和鲁棒性，即使在恶劣环境下也能稳定工作。为了确保您能便捷地获得这颗性能利器，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，以获得正品保障和全面的技术支持。让STD35P6LLF6成为您下一个成功设计的强大基石。

• 型号:STD35P6LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD35P6LLF6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。