STD5NK40ZT4

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？答案就在STD5NK40ZT4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其400V的坚固耐压和SuperMESH技术的卓越基因，为您的高压开关应用注入澎湃而稳定的动力。它不仅是一个元件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的关键伙伴。

想象一下，在紧凑的LED驱动电源内部，或在需要高效功率转换的离线式开关电源（SMPS）中，STD5NK40ZT4正以其低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）最大限度地减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达3A的连续漏极电流承载能力和优化的栅极电荷（Qg），确保了快速、干净的开关动作，让您的系统响应更迅捷，整体能效表现脱颖而出。从家用电器到工业控制，从照明解决方案到辅助电源模块，它的身影无处不在，默默守护着每一次高效、稳定的能量传递。

选择STD5NK40ZT4，意味着您选择了一份源自顶级制造商的技术保障。其宽泛的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性，无论是在严寒还是酷热中都能稳定运行。表面贴装（DPAK）的封装形式，顺应了现代电子生产自动化、高密度的潮流，让您的PCB布局更加灵活，生产流程更加顺畅。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能享受专业的技术支持与稳定的供货服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将STD5NK40ZT4纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越性能，为您的产品点亮效率与可靠性的双重光环。

• 型号:STD5NK40ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK40ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。