STD38NH02L-1

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升整体效率的功率MOSFET，将如何为您的设计注入强大动能。现在，答案就在STD38NH02L-1之中。

这款来自ST意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其卓越的性能参数重新定义了24V应用场景下的功率处理能力。高达38A的连续漏极电流承载力和低至13.5毫欧的导通电阻，意味着在相同的电流下，它能产生更少的热量，让能量更顺畅地通过，从而将宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非白白浪费在器件发热上。无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的电机驱动桥臂，还是需要快速响应的负载开关，它都能游刃有余，确保系统运行更凉爽、更持久。

选择STD38NH02L-1，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与高性能的完美结合。其5V/10V的驱动电压兼容性，让它在数字控制器主导的世界里轻松适配，简化您的驱动电路设计。极低的栅极电荷和输入电容，确保了超快的开关速度，这对于提升开关频率、减小无源元件体积至关重要，最终帮助您打造出更小巧、更高效的终端产品。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的特性使其在库存充足时，依然是许多经典或特定升级方案的理想之选。如需获取此型号或寻找替代方案，您可以咨询专业的ST代理商，他们能为您提供全面的产品与技术支持。

从消费电子到工业控制，从便携设备到自动化模块，对效率与功率密度的追求永无止境。让STD38NH02L-1成为您下一个成功设计的基石，它不仅是一颗半导体器件，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大助力。立即探索它的可能性，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:STD38NH02L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 38A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD38NH02L-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。