STD38NH02LT4

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持低温高效运行的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STD38NH02LT4，正是意法半导体STripFET III系列中的一颗明星产品，它用24V的耐压和高达38A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压领域功率密度的可能性。其核心魅力在于那低至13.5毫欧的导通电阻，这意味着在相同的电流下，它能将更多的能量用于驱动负载，而非转化为令人头疼的热量，让您的系统从根源上更冷静、更可靠。

想象一下，在那些对空间和散热都极为苛刻的应用场景中，比如高密度DC-DC转换模块、电机驱动控制板或是便携式设备的电池保护电路，STD38NH02LT4都能大显身手。它卓越的开关特性，得益于仅24nC的低栅极电荷和优化的内部结构，能够显著降低开关损耗，提升整体转换效率。无论是应对频繁启停的电机脉冲，还是需要在宽温范围（-55°C至175°C）内稳定工作的严苛环境，这颗MOSFET都展现出了强大的适应性和耐久性。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB面积，更便于自动化生产，加速您的产品上市流程。

选择STD38NH02LT4，不仅仅是选择了一个高性能的电子元件，更是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案。它继承了意法半导体在功率半导体领域数十年的技术积淀，STripFET III技术确保了性能与可靠性的完美平衡。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，确保项目供应链的稳定与安全。让这颗曾助力无数创新产品的芯片，为您的下一个设计注入强劲而高效的动力，简化您的设计挑战，成就更卓越的产品性能。

• 型号:STD38NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD38NH02LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。