STD3LN62K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？想象一下，一个集高耐压、低损耗与卓越热管理于一身的解决方案，将如何彻底改变您的电源拓扑设计。今天，我们向您隆重介绍STD3LN62K3，这颗源自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，正是为突破此类挑战而生的利器。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键伙伴。

将目光投向实际应用，STD3LN62K3的620V高漏源电压与2.5A连续电流能力，使其在反激式开关电源、LED驱动、家用电器辅助电源以及工业级AC-DC变换器中游刃有余。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更凭借优化的热性能，确保在高达150°C的结温下稳定运行，让您的设备即使在严苛环境下也能持续输出强劲动力。当传统的MOSFET在效率与温升间艰难平衡时，STD3LN62K3凭借其核心技术，为您带来截然不同的体验。

选择STD3LN62K3，就是选择了一份源自顶尖半导体技术的保障。其仅3欧姆的低导通电阻（在1.25A, 10V条件下），意味着更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的发热量。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了开关损耗，让高频开关设计变得轻松而高效。这一切优势，都封装在一个坚固可靠的DPAK外壳内。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能确保芯片的原装正品与可靠供货，还能获得专业的技术支持与配套服务，让您的产品从设计到量产全程无忧。立即体验STD3LN62K3，让它成为您下一个成功项目的强大心脏。

• 型号:STD3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3LN62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。