STD3LN80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为高压开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在800V高压下稳定工作，同时将导通电阻和开关损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。这正是STD3LN80K5为您带来的核心价值。作为意法半导体MDmesh系列中的明星产品，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您实现高效、可靠、紧凑型高压电源设计的得力助手。

无论是开关电源、LED照明驱动，还是工业电机控制、充电桩辅助电源，STD3LN80K5都能游刃有余。其800V的漏源击穿电压，为您的设计提供了充足的安全裕量，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。而2A的连续漏极电流与仅3.25欧姆的低导通电阻，意味着在传导损耗上实现了显著优化，让您的系统在高效运行的同时，发热更少，温升更低。这直接转化为更长的产品寿命和更低的散热成本，让您的终端产品在市场上更具竞争力。

选择STD3LN80K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其采用的先进MDmesh技术，在单位面积内实现了更低的Rds(on)和更优的开关特性，这背后是意法半导体深厚的工艺积淀。极低的栅极电荷（仅2.63nC）和输入电容，使得驱动更加轻松，开关速度更快，进一步降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也便于自动化生产，提升您的制造效率。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，通过官方授权的ST代理商进行采购，将是保障项目顺利推进的明智之选。让STD3LN80K5成为您下一个明星产品的“强力心脏”，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。