STD3N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为高压开关损耗和散热问题而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH5家族中的明星产品STD3N80K5，这颗集高性能与高可靠性于一身的N沟道MOSFET，将彻底改变您对高压功率器件的认知。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、LED驱动或电机控制应用中，一颗芯片就能轻松应对高达800V的漏源电压挑战，同时将导通电阻控制在极低水平。这意味着更少的能量以热的形式被浪费，更高的整体转换效率得以实现。其卓越的3.5欧姆@1A,10V的导通电阻特性，配合超低的栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，让您的系统运行更安静、更凉爽、更持久。无论是面对工业环境的严苛考验，还是消费电子对空间和能效的极致追求，它都能游刃有余，成为您设计中最值得信赖的“能量守门员”。

为何众多工程师在高压应用选型时，会毫不犹豫地选择它？因为价值显而易见。在相同的性能等级下，STD3N80K5通过先进的SuperMESH5技术，实现了开关损耗与导通损耗的完美平衡。这直接转化为更小的散热器需求、更简化的热管理设计，以及最终更低的系统总成本和更小的产品体积。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省宝贵的PCB空间，还便于自动化生产，提升制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和长期稳定性，让您的产品在任何角落都能稳定运行。

选择一颗芯片，就是选择一种解决方案，更是选择一位可靠的合作伙伴。当您需要获取这颗性能利器或获得专业的技术支持时，请务必通过官方授权的ST代理商进行采购，以确保获得原装正品和完整的售后服务保障。让STD3N80K5的强大能量，注入您的下一个创新设计，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STD3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:130 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。