STD4NK100Z

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的稳定性和效率而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STD4NK100Z，这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您构建高效、坚固电力系统的基石。凭借高达1000V的漏源电压和仅为6.8欧姆的低导通电阻，它在高压环境下展现出卓越的导通性能，将开关损耗降至新低，让能量转换过程更加顺畅，直接为您的终端产品注入持久动力与能效优势。

想象一下，在电动汽车的车载充电器(OBC)中，它如何稳定处理高电压输入；在工业电源和服务器电源的PFC(功率因数校正)电路中，它如何高效切换，提升整体系统效率；甚至在照明驱动的苛刻环境下，它依然能凭借-55°C至150°C的宽工作温度范围稳定运行。这颗芯片生来就是为了应对这些挑战，其Automotive, AEC-Q101的认证身份，更是为汽车级应用和高可靠性要求的工业场景提供了坚实的品质背书。选择它，意味着您为产品选择了一份经得起时间与严苛环境考验的可靠性保障。

那么，为何众多工程师在关键设计中青睐STD4NK100Z？理由显而易见。它完美平衡了高压耐受与开关性能，10V的标准驱动电压使其易于控制，而低至18nC的栅极电荷则确保了高速开关能力，显著降低了驱动损耗和发热。采用表面贴装DPAK封装，它不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升您的制造效率。当您需要确保供应链稳定并获得原厂技术支持时，通过值得信赖的ST一级代理进行采购，将是获得正品保障和全面服务支持的最明智选择。让STD4NK100Z成为您下一个明星产品的强大心脏，开启高效、可靠的电能驾驭之旅。

• 型号:STD4NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。