STD5N20LT4

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的选择而犹豫？一颗兼具高性能与高可靠性的MOSFET，往往是决定产品成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体STripFET家族中的明星成员STD5N20LT4，它正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。

想象一下，在您的开关电源、DC-DC转换器或电机控制电路中，STD5N20LT4能够凭借其200V的耐压能力和5A的连续电流承载能力，从容应对各种高压工作环境。其核心魅力在于极低的导通电阻，在5V驱动电压下，仅需700毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的发热，直接为您带来更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是家用电器中的高效电源，还是工业设备中的精密电机驱动，它都能确保能量以最“纯净”的方式传递，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STD5N20LT4，就是选择了一份安心与高效。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，能显著降低开关损耗，让您的控制环路设计更加游刃有余。表面贴装的DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，提升制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。当您需要这样一颗性能与品质兼备的芯片时，可以信赖专业的ST代理商，他们能为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。让STD5N20LT4成为您下一个成功产品的强大“心脏”，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD5N20LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 2.5A，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:242 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:33W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N20LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。