STD5N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与可靠性的三重挑战？今天，我们为您带来一个集卓越性能与出色可靠性于一身的解决方案STD5N80K5。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和4A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强大动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是效率、稳定性和设计自由度的完美融合，旨在帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STD5N80K5能够轻松应对严苛的高压环境。其核心采用了ST先进的MDmesh技术，这项技术显著优化了单元结构，使得在保持超低导通电阻（Rds(on)）的同时，大幅降低了开关损耗和栅极电荷。这意味着您的系统不仅运行更凉爽、更高效，还能在更宽的负载范围内保持优异的性能。无论是面对工业电机驱动、UPS不间断电源，还是家用电器中的辅助电源，它都能提供稳定可靠的开关性能，让您的设计从容应对各种复杂工况。

选择STD5N80K5，就是选择了一份安心与高效。其高达60W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了其在恶劣环境下的长期稳定运行。表面贴装（DPAK）的封装形式，既节省了宝贵的PCB空间，又简化了生产流程。更重要的是，当您通过正规的ST授权代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是原装正品的质量保证，还有完整的技术支持与供应链保障，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即将STD5N80K5纳入您的选型清单，开启高效、可靠的高压电源设计新篇章！

• 型号:STD5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。