STP15NM65N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？当650V的高压应用场景需要兼顾效率与成本时，STP15NM65N的出现，正是为破解这一难题而来。作为ST意法半导体MDmesh II系列的杰出代表，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升产品竞争力的秘密武器。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源转换系统中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。而STP15NM65N凭借其优化的技术内核，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下控制在极低的水平，这意味着更少的导通损耗和更低的温升。其高达12A的连续漏极电流承载能力和125W的功率耗散能力，让它在高功率密度设计中游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定运行。选择它，就是为您的设备注入了持久耐用的基因。

无论是升级现有的AC-DC转换器，还是开发新一代的UPS或焊接设备，STP15NM65N都能成为您可靠的核心开关元件。其TO-220的经典封装形式，兼顾了散热性能与安装便利性，极大简化了生产流程。更重要的是，通过与专业的ST代理商合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到从选型支持到技术咨询的全方位服务，让您的产品从设计到量产一路畅通。在高压高频的应用战场上，细节决定成败，一个优秀的功率器件就是您赢得市场的关键砝码。

所以，当您下一次为项目寻找那颗既能扛住高压冲击，又能保持高效冷静的“心脏”时，STP15NM65N值得您优先考虑。它承载着ST领先的MDmesh II技术，以扎实的参数和久经考验的可靠性，默默守护着系统的每一次高效转换，将电能的价值最大化地传递到终端应用，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STP15NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:983 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP15NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。