STP6NK90ZFP

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用中的损耗与散热问题所困扰？现在，让我们为您介绍一个卓越的解决方案STP6NK90ZFP。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达900V的漏源电压和SuperMESH技术的加持，为您的高压电路带来了革命性的性能提升。它不仅意味着更强的耐压能力和更高的可靠性，更代表着在严苛工况下依然稳定高效的开关表现，让您的产品在竞争中脱颖而出。

想象一下，在开关电源、照明镇流器或电机驱动等高压应用场景中，STP6NK90ZFP能够轻松应对。其5.8A的连续漏极电流和仅为2欧姆的导通电阻，确保了在导通状态下极低的功率损耗，直接转化为更高的整体能效和更少的热量产生。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，同时显著降低散热设计的复杂性与成本。无论是工业电源、UPS系统还是新能源领域，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力的核心动力。

选择STP6NK90ZFP，就是选择了一份安心与高效。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。优化的栅极电荷和输入电容特性，让开关过程更快、更干净，进一步减少了开关损耗，提升了系统响应速度。当您需要可靠的原厂正品和技术支持时，可以随时联系我们的ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP6NK90ZFP成为您下一个成功设计的基石，开启高效、可靠的高压电源新篇章。

• 型号:STP6NK90ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP6NK90ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。