STD5NK52ZD-1

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能在高压下稳定输出、同时保持出色能效表现的“心脏”？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族的明星成员STD5NK52ZD-1。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达520V的漏源电压和4.4A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强劲而可靠的能量。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器或是电机驱动控制等场景中，STD5NK52ZD-1能够大显身手。其核心优势在于采用了先进的SuperMESH技术，这项技术显著优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡。具体而言，在10V驱动电压下，其导通电阻最大值低至1.5欧姆（@2.2A），而栅极电荷（Qg）最大值仅为16.9nC（@10V）。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统整体效率，以及更少的热量产生。在追求绿色节能和紧凑设计的今天，这一优势无疑为您产品的能效标签增添了耀眼的光环。

选择STD5NK52ZD-1，就是选择了一份经得起考验的可靠性。它拥有宽广的工作温度范围（-55°C至150°C结温）和高达70W（Tc）的功率耗散能力，确保您的设备即使在严苛的环境下也能稳定运行，延长产品寿命，减少售后维护的烦恼。其通孔I-PAK封装形式，兼顾了良好的散热性能和成熟的焊接工艺适应性，让您的生产组装过程更加顺畅。虽然该型号目前已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或可靠的替代方案咨询，确保您的供应链安全与项目延续性。让这颗凝聚了ST尖端技术的功率器件，成为您下一个成功设计的坚实基石。

• 型号:STD5NK52ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD5NK52ZD-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。