STFI40N60M2

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否还在为如何平衡高性能与系统成本而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案STFI40N60M2。这颗源自ST意法半导体MDmesh II Plus家族的功率MOSFET，以其600V的耐压和34A的连续电流能力，早已成为众多工程师心中高效开关应用的经典之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现稳定高效能量管理的得力助手。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是不间断电源（UPS）系统中，STFI40N60M2正以其低至88毫欧的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），默默发挥着巨大作用。这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率。无论是面对严苛的工业环境，还是需要24/7不间断运行的通信基础设施，它都能提供坚实的性能保障，让您的设计从容应对高功率密度与高可靠性的双重挑战。

选择STFI40N60M2，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。其经典的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，提供了出色的散热性能和机械坚固性，非常适合需要高鲁棒性的应用。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用基础，使其成为许多现有产品升级或维护的优选。通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，为您的项目延续生命、保障供应链安全。它代表了一个时代的性能标杆，即使今天，其平衡的性能参数依然能在许多场景中提供极具成本效益的解决方案，帮助您以更优的投入，收获稳定出众的系统表现。

• 型号:STFI40N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI40N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。