STD5NK52ZD

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要在高电压下稳定、高效地切换电流时，选择一颗合适的MOSFET往往是决定成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍一款历经市场验证的经典功率器件STD5NK52ZD。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗N沟道MOSFET拥有高达520V的漏源击穿电压和4.4A的连续漏极电流能力。这意味着它天生就是为应对严苛的高压环境而生。其核心价值在于，在高达10V的驱动电压下，它能实现极低的导通电阻（典型值仅1.5欧姆@2.2A），这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，更低的损耗意味着更高的整体效率、更小的散热器需求，甚至可能延长整个系统的使用寿命。其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，让您的开关频率设计更具灵活性，同时有效抑制电磁干扰（EMI）。

这颗芯片的价值在众多应用场景中熠熠生辉。无论是工业级AC-DC开关电源的初级侧开关，需要承受电网波动和浪涌冲击；还是家用电器如空调、洗衣机的电机驱动模块，要求长期稳定运行；亦或是LED驱动和电子镇流器，对效率和成本极为敏感，STD5NK52ZD都能游刃有余。其DPAK封装兼顾了功率处理能力和表面贴装的便利性，非常适合自动化生产，助力您快速实现产品量产。面对-55°C至150°C的宽广工作结温范围，无论是严寒还是酷热的工作环境，它都能保持稳定性能，让您的产品无惧挑战。

那么，在众多选择中，为何要信赖这颗可能已进入停产序列的芯片？答案在于其无与伦比的成熟度、可靠性和极高的性价比。作为一款经典型号，它经过了海量市场应用的严格考验，其性能参数稳定可靠，设计资料和参考方案丰富，能极大降低您的设计风险和开发周期。对于许多成熟产品线的维护、升级或成本优化项目而言，它依然是绝佳的选择。更重要的是，通过值得信赖的ST一级代理渠道，您依然可以获取到有保障的货源和专业的技术支持，确保供应链的稳定与安全。选择STD5NK52ZD，就是选择了一份经过时间沉淀的安心与卓越，让您的产品在性能与成本之间找到最完美的平衡点，持续赢得市场。

• 型号:STD5NK52ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK52ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。