STD5NK60ZT4

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们向您介绍一款历经市场验证的经典功率器件STD5NK60ZT4。它不仅仅是一个600V、5A的N沟道MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为那些对可靠性和效率有严苛要求的应用而生。其1.6欧姆的低导通电阻，意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的产品在竞争中脱颖而出。

这颗芯片的身影，广泛活跃于开关电源(SMPS)、照明镇流器、电机驱动以及各类AC-DC转换器等核心领域。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率控制单元，STD5NK60ZT4都能凭借其600V的高压耐受能力和稳健的性能，从容应对复杂的电网环境与负载波动。其DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间利用率，非常适合在紧凑的PCB布局中实现高效的表面贴装生产，大幅提升您的生产装配效率与一致性。

选择STD5NK60ZT4，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。它高达90W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了其在恶劣环境下依然稳定可靠。虽然该型号已不适用于全新设计，但对于大量的存量产品升级、备件供应以及追求极致性价比的成熟方案而言，它依然是无可替代的优选。其优异的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，有助于简化驱动电路设计，让系统工程师能够更轻松地实现快速开关与低电磁干扰。当您需要稳定可靠的货源与技术支持时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到供应的全程专业服务，确保您的供应链顺畅无阻。

• 型号:STD5NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK60ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。