STD70N6F3

在追求极致能效的电力转换世界里，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一个关键功率开关，既能承载高达70A的强劲电流，又能将导通电阻压至惊人的10.5毫欧以下，这带来的不仅仅是效率的飞跃，更是系统可靠性与设计自由度的全面解放。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET III家族中的性能悍将STD70N6F3，它将用实实在在的数据，重新定义您对60V级别N沟道MOSFET的期待。

当您着手设计新一代的DC-DC转换器、电机驱动控制器或高功率LED照明系统时，STD70N6F3就是您值得信赖的基石。其60V的漏源电压和70A的连续漏极电流能力，为各种严苛的工业与汽车应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，在10V驱动下，其超低的Rds(on)值能显著减少导通损耗，而仅35nC的低栅极电荷则大幅降低了开关损耗，这意味着您的系统可以在更高的频率下运行，同时保持更低的温升和更高的整体效率。无论是服务器电源追求的那一点能效提升，还是电动工具需要的瞬间大电流爆发力，这颗芯片都能游刃有余。

选择STD70N6F3，就是选择了一种经过市场验证的卓越技术。STripFET III工艺赋予了它无与伦比的品质，从-55°C到175°C的宽广结温工作范围，确保了其在极端环境下的稳定表现。表面贴装的DPAK封装，兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率，让您的布局更加灵活。我们理解，出色的产品需要可靠的渠道支持，通过权威的ST代理商进行采购，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到及时的技术支持与供货稳定性，让您的项目从设计到量产一路畅通。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场的强大引擎。

• 型号:STD70N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD70N6F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。