




STD70NS04ZL
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:DPAK
- 技术参数:MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
STD70NS04ZL参数详情:
在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中,您是否还在为开关损耗、热管理和系统稳定性而反复权衡?现在,答案来了。我们隆重推出意法半导体SAFeFET系列中的明星产品STD70NS04ZL,这颗N沟道功率MOSFET以其33V的耐压和高达70A的连续漏极电流能力,重新定义了中低压、大电流应用场景的性能标杆。它不仅仅是一个开关,更是您提升整机效率、缩小体积并增强耐用性的关键引擎。
想象一下,在您的电机驱动、DC-DC转换器或电池保护电路中,STD70NS04ZL能够轻松应对频繁的开关动作。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅10.5毫欧,这意味着更少的导通损耗,更低的发热,直接将更多的电能高效转化为有用功。无论是驱动一台强劲的电动工具马达,还是在服务器电源中实现精准的功率分配,它都能确保能量流动顺畅无阻,让系统运行得更冷静、更持久。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围,更是为严苛的工业环境或户外应用提供了坚实的保障。
选择STD70NS04ZL,就是选择了一份从容与信心。它采用了优化的DPAK封装,兼顾了出色的功率处理能力(110W)与便捷的表面贴装工艺,非常适合自动化生产,能有效帮助您降低组装成本并提升产品一致性。其5V的低栅极驱动电压门槛,使其能与多种主流控制器轻松匹配,简化您的驱动电路设计。同时,极低的栅极电荷(32nC @5V)和输入电容,确保了超快的开关速度,显著降低开关损耗,特别适合高频开关应用,让您的产品在能效竞赛中快人一步。要获得这颗性能与可靠性兼备的芯片,请认准官方授权的ST代理渠道,确保您获得原装正品与全面的技术支持。
归根结底,在竞争激烈的市场中,产品的优势往往源于核心器件的卓越。STD70NS04ZL将意法半导体先进的SAFeFET技术与扎实的工艺相结合,为您带来的不仅是参数的提升,更是系统级价值的飞跃更高的效率意味着更长的续航或更小的散热器,更强的可靠性意味着更低的返修率和更高的品牌声誉。让它成为您下一个爆款产品的“心脏”,驱动无限可能,赢得市场先机。
- 型号:STD70NS04ZL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 33V 70A DPAK
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):33 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.5 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):32 nC @ 5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):110W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- STD70NS04ZL的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















