STD7NS20T4

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通损耗、提升系统整体效率的MOSFET，将如何为您的产品注入强大竞争力。这正是STD7NS20T4为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现高效、可靠功率管理的得力助手。

得益于ST意法半导体先进的MESH OVERLAY技术，这颗N沟道MOSFET在200V的漏源电压和7A的连续电流下，展现出了卓越的性能。其最大导通电阻低至400毫欧，意味着在相同的负载电流下，它能产生更少的热量，让您的系统运行得更“冷静”，寿命更长久。无论是面对工业环境中的严苛挑战，还是消费电子对空间和温升的极致要求，它都能游刃有余。我们作为专业的ST授权代理，深知其稳定供货与技术支持对您项目成功的重要性。

当我们将目光投向实际应用，STD7NS20T4的身影无处不在。在开关电源（SMPS）中，它是高效DC-DC转换的核心开关，帮助您轻松达成80Plus金牌甚至更高能效标准；在电机驱动领域，无论是家电中的风机、泵机，还是轻型电动工具，它都能提供强劲而平稳的驱动动力，确保电机快速响应、安静运行。其DPAK封装兼顾了优异的散热能力和自动化贴装的便利性，让您的生产线高效运转，产品快速上市。

那么，在众多同类产品中，选择STD7NS20T4的理由是什么？答案在于它实现了性能、可靠性与成本的完美平衡。高达150°C的结温工作能力，赋予了它应对瞬时过载和恶劣环境的强大韧性。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着它开关迅速，驱动简单，能有效降低开关损耗并简化您的驱动电路设计。选择它，就是选择了一个经过市场验证的、来自全球半导体领导品牌的可靠解决方案，它能显著降低您的系统总成本，同时将产品性能提升到一个新的高度，让您的创新设计在市场中脱颖而出。

• 型号:STD7NS20T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NS20T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。