STD80N6F7

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一款能在高频开关和重载条件下依然保持冷静高效的功率器件，将如何彻底改变您的电源或电机驱动方案。今天，我们向您隆重介绍意法半导体STripFET F7系列中的明星产品STD80N6F7，它正是为解决这些核心挑战而生。

这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和高达40A的连续漏极电流承载能力，但其真正的魅力远不止于此。其革命性的低导通电阻，在10V驱动电压下仅8毫欧，这意味着在相同的电流下，它的导通损耗显著降低，更多的电能被高效传输，而非转化为无谓的热量。更低的栅极电荷（仅25nC）和输入电容，让开关速度更快，开关损耗大幅削减，尤其适合高频应用的严苛要求。从工业电源、电机驱动到DC-DC转换器，STD80N6F7都能游刃有余，确保系统运行更稳定、更凉爽、寿命更长。

选择STD80N6F7，就是选择了一份对性能与可靠性的双重保障。它采用坚固的DPAK封装，功率耗散能力高达100W，并能在-55°C至175°C的极端结温范围内稳定工作，赋予您的产品无与伦比的环境适应性。无论是提升现有方案的效率，还是攻克新项目的设计瓶颈，这颗芯片都能成为您最得力的功率开关。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，我们的ST芯片代理服务网络随时待命，为您提供从选型到量产的一站式解决方案。立即体验STripFET F7技术带来的能效飞跃，让STD80N6F7为您的创新注入强劲动力！

• 型号:STD80N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD80N6F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。