STD9NM40N

当您设计的电源系统需要在高电压下稳定运行，同时还要兼顾效率和空间时，您是否曾为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STD9NM40N，这颗源自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，正是为破解您的效率与可靠性难题而生。它不仅仅是一个400V/5.6A的开关，更是您提升产品性能、赢得市场竞争的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，STD9NM40N正以其卓越的性能默默工作。其MDmesh II技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动下仅790毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是面对工业电机驱动中的频繁开关，还是家用电器待机时对功耗的严苛要求，它都能游刃有余，确保系统在高达150°C的结温下依然稳定可靠，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

选择STD9NM40N，就是选择了一份经市场验证的安心。其紧凑的DPAK表面贴装封装，为您的PCB布局节省了宝贵空间，简化了生产流程。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其成熟度和在大量现有成功应用中的卓越表现。对于产品升级、维护或特定领域的持续生产，它依然是高性价比和可靠性的不二之选。当您需要获取这颗经典器件或技术咨询时，可以随时联系专业的ST代理商，他们将为您提供从选型到供应的全方位支持。让STD9NM40N成为您动力核心中那颗高效、冷静的“心脏”，驱动您的创意，赢得未来。

• 型号:STD9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9NM40N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。