STF13NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升难以控制时，您是否在寻找一个既能承载高功率又能保持冷静运行的解决方案？答案或许就藏在STF13NM50N这颗高性能功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键引擎。凭借其卓越的电气特性和坚固的物理结构，它能将复杂的功率转换任务变得稳定而高效，让您的设计从众多产品中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高性能LED照明或是UPS不间断电源系统中，稳定可靠的功率开关是保障整个系统心脏持续跳动的基础。STF13NM50N正是为此类严苛应用而生。其500V的高耐压能力，让它在应对电网波动或感性负载反冲电压时游刃有余，为系统构筑起坚实的安全防线。而12A的连续电流承载能力，则确保了在高功率输出时依然保持强劲动力，无论是驱动大型设备还是处理瞬态峰值电流，都显得从容不迫。其采用的TO-220FP封装不仅提供了优异的散热路径，便于安装散热器，其通孔设计也带来了更强的机械可靠性，非常适合需要经受振动和长期运行的工业环境。

选择STF13NM50N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。其核心优势在于ST意法半导体独有的MDmesh II技术，这项技术显著优化了器件的动态特性。320毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下的功率损耗被降至极低，电能得以更高效地传输，直接转化为更低的运营成本和更凉爽的系统温度。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使得开关速度更快，开关损耗更低，这对于追求高频高效工作的现代开关电源拓扑至关重要。它能在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保了产品在极端环境下的出色可靠性。如果您正在为现有项目寻找可靠的备件或库存解决方案，专业的ST中国代理将是您获取这颗经典器件、获得技术支持的得力伙伴。让STF13NM50N成为您下一个成功设计的强大基石，开启高效、可靠的能量管理新篇章。

• 型号:STF13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF13NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。