STDLED625H

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重考验时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与稳健性能的“心脏”？今天，我们为您带来答案STDLED625H。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其620V的卓越耐压能力和4.5A的连续漏极电流，正是为应对严苛的工业与消费类电力环境而生。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统能效、确保长期稳定运行的信心基石。

想象一下，在LED照明驱动、开关电源（SMPS）、电机控制乃至各类适配器中，STDLED625H都能大显身手。其高达70W的功率处理能力和150°C的结温工作范围，意味着即使在高温、高负载的挑战下，它依然能保持冷静与高效。对于追求极致空间利用的紧凑型设计，其表面贴装DPAK封装提供了完美的解决方案，让您在有限的PCB面积上实现强大的功率输出。选择它，就是为您的产品注入了来自ST原厂的品质基因，而通过值得信赖的ST中国代理进行采购，更能确保您获得正品保障与及时的技术支持。

为何众多工程师在关键设计中青睐STDLED625H？理由清晰而有力。在10V驱动电压下仅2欧姆的最大导通电阻，直接转化为更低的导通损耗和更高的整体效率，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。同时，优化的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得开关过程更为迅速、干净，有效减少了开关损耗并简化了驱动电路设计。这颗芯片虽然已处于停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和稳定的库存支持，使其成为许多经典和长生命周期项目的可靠之选。它代表的是一种经过时间考验的价值用卓越的电气性能和坚固的物理特性，守护您产品的每一次稳定运行。

• 型号:STDLED625H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:560 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STDLED625H的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。