STDLED656

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与可靠性的三重挑战？现在，一个经过市场验证的成熟答案正等待着您那就是来自ST意法半导体的STDLED656。这颗N沟道功率MOSFET，以其650V的卓越耐压能力和6A的连续漏极电流，为您的高压开关应用筑起一道坚实的性能屏障。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。

想象一下，在LED照明驱动、工业开关电源或家用电器辅助电源等场景中，您需要一个能够在高压下稳定、高效切换的“心脏”。STDLED656正是为此而生。其1.3欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是应对复杂的电磁环境，还是需要在紧凑的PCB空间内布局，其DPAK表面贴装封装都提供了优异的散热性能和便捷的装配体验。

选择STDLED656，就是选择了一份来自行业巨头的品质承诺。ST意法半导体深厚的工艺积淀，确保了这颗MOSFET在高达150°C结温下的稳定运行，赋予您的设计强大的过载能力和环境适应性。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的适用性，使其在存量市场、特定升级方案或对成熟稳定供应链有要求的项目中，依然闪烁着不可替代的价值。当您需要这颗经典器件时，通过值得信赖的ST授权代理进行采购，是保障货源正宗、获得专业技术支持的最佳途径。让STDLED656的成熟力量，继续驱动您的创新灵感，在可靠性的基石上，构建更高效、更耐用的电力电子世界。

• 型号:STDLED656
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:895 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STDLED656的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。