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STDRIVEG212QTR

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:18-QFN(4x5)
  • 技术参数:HIGH VOLTAGE AND HIGH-SPEED HALF
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STDRIVEG212QTR参数详情:

  • 型号:STDRIVEG212QTR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:18-QFN(4x5)
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:HIGH VOLTAGE AND HIGH-SPEED HALF
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:-
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:10.3V ~ 18V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.45V,2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):800mA,1.8A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):220 V
  • 上升/下降时间(典型值):22ns,13ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:18-TFQFN
  • 供应商器件封装:18-QFN(4x5)
  • STDRIVEG212QTR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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