STE110NS20FD

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为功率器件的性能瓶颈而妥协？想象一下，一款能够同时驾驭200V高压与110A大电流的开关器件，将如何彻底改变您的电源设计格局。现在，答案就在眼前STE110NS20FD，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为打破常规、定义新标准而生。

它不仅仅是一个开关，更是您系统高效、可靠运行的核心引擎。凭借其仅为24毫欧的超低导通电阻（在50A，10V条件下），STE110NS20FD能够显著降低导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非无谓的热量。这意味着，无论是工业电机驱动中需要瞬间爆发巨大扭矩，还是服务器电源需要在严苛环境下保持持续稳定供电，它都能轻松应对，确保系统在高效区稳定运行，大幅提升整体能效比。其高达500W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，更是为高密度、高可靠性应用提供了坚实的保障。

当我们将目光投向实际应用，这颗芯片的价值更加凸显。在电焊机、不间断电源（UPS）以及各类大功率开关电源中，快速、干净的开关特性至关重要。STE110NS20FD优化的栅极电荷与电容特性，有助于实现更快的开关速度，减少开关损耗，同时降低电磁干扰（EMI），让您的产品不仅性能强劲，更能轻松满足日益严格的能效与环保法规。其采用的ISOTOP封装，提供了卓越的散热性能和机械强度，非常适合底座安装，能够简化您的散热设计，提升系统功率密度。

选择STE110NS20FD，就是选择了一份来自ST原厂的品质承诺与经过市场验证的MESH OVERLAY技术传承。虽然该型号目前已停产，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和高可靠性替代需求中依然极具价值。为确保您获得正品保障与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理渠道进行咨询与采购。让这颗曾经的性能标杆，继续为您的关键应用注入强劲而可靠的动力，助您在激烈的市场竞争中赢得先机。

• 型号:STE110NS20FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:504 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE110NS20FD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。