STR2N2VH5

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一个微小的SOT-23封装内，蕴藏着驱动2.3A电流的能力，同时将导通电阻压降至仅30毫欧这不仅仅是参数的提升，更是系统整体效率的一次飞跃。这正是STR2N2VH5为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET V家族的杰出成员，它凭借先进的MOSFET技术，在20V的电压舞台上，实现了低损耗与高可靠性的完美平衡，让您的产品在激烈的市场竞争中，率先赢得能效优势。

无论是便携设备中的负载开关、DC-DC转换器的同步整流，还是电机驱动中的精密控制，STR2N2VH5都能游刃有余。其极低的栅极电荷（仅4.6nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频应用场景，让系统响应更加敏捷。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保了从消费电子到工业控制等各种苛刻环境下的持久耐力。当您需要一颗能在紧凑空间内提供强劲、高效且稳定开关性能的N沟道MOSFET时，它就是那个值得信赖的“能量开关”。

选择STR2N2VH5，就是选择了一种经过市场验证的高性价比解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化BOM成本、加速上市周期的战略伙伴。其出色的热性能（350mW功率耗散）与SOT-23封装相结合，在提供强大电流处理能力的同时，最大程度节省了宝贵的PCB空间。对于寻求可靠供应链和本地化技术支持的开发者，通过权威的ST中国代理进行采购，还能获得原厂品质保证与及时的技术服务，让您的创新之路更加顺畅。立即采用STR2N2VH5，为您的下一个设计注入高效与可靠的核心动力。

• 型号:STR2N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:367 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• STR2N2VH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。