STFI13NM60N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临这样的困境：如何在有限的预算和空间内，实现系统性能的稳定跃升？答案或许就藏在这颗经典的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II家族的明星成员STFI13NM60N。它不仅仅是一个600V、11A的N沟道MOSFET，更是历经市场验证的高可靠性解决方案，即便在宣布停产后，其卓越的性能和广泛的应用基础，依然使其成为许多经典设计和新项目备选方案中的明智之选。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，一颗功率器件正默默承担着能量转换的核心重任。STFI13NM60N凭借其MDmesh II技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关特性平衡。这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统整体效率，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，同时有效控制温升，提升长期运行可靠性。其通孔I2PAKFP封装提供了坚固的机械结构和优异的散热能力，非常适合对功率密度和散热有要求的工业级应用。

选择STFI13NM60N，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。它曾广泛应用于照明镇流器、适配器、工业电源等众多领域，其性能参数如高达600V的漏源电压和11A的连续电流能力，为设计提供了充裕的安全裕度。尽管已停产，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代规划支持，确保现有产品线的稳定维护或新项目的平滑过渡。它代表的是一种以稳定、高效为核心的价值主张，帮助您以成熟的方案应对当下的设计挑战，将风险降至最低，将性能发挥到极致。

• 型号:STFI13NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:360 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:790 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。