STL7LN80K5

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一款能在800V高压下稳定运行，同时将导通电阻和开关损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能格局。现在，这一切不再是想象，STL7LN80K5的到来，正是为了解答这个难题，为您带来前所未有的高效与可靠。

这款源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，天生就是为高效功率转换而生的明星。其800V的漏源电压和5A的连续漏极电流，赋予了它从容应对工业电源、服务器PSU、LED照明驱动以及电动车充电桩辅助电源等高压场景的硬实力。当传统的MOSFET在高压开关中疲于应对热损耗时，STL7LN80K5凭借其优化的技术，在10V驱动电压下仅需1.15欧姆的导通电阻，这意味着更低的传导损耗和更清凉的系统运行温度，直接转化为更高的整机效率和更长的使用寿命。

选择STL7LN80K5，就是选择为您的设计注入一颗强劲而稳健的“心脏”。它不仅仅是一个参数漂亮的组件，更是系统级价值的体现。极低的栅极电荷（仅12nC）和输入电容，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快、更干净，从而轻松实现更高频率的设计，帮助您缩小磁性元件尺寸，优化整体方案成本。其坚固的PowerFlat封装，在提供出色散热性能的同时，极大节省了宝贵的PCB空间，非常适合高密度电源模块的应用。无论您是设计新一代的USB PD快充，还是构建工业级的高可靠性电源，这颗芯片都能让您的产品在能效和功率密度上脱颖而出。如果您正在寻找可靠的原厂正品渠道，专业的ST代理商将为您提供全面的技术支持和供应保障。

从概念到量产，每一个环节的卓越都至关重要。STL7LN80K5在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，并拥有高达42W的功率耗散能力，这确保了您的产品即使在最严苛的环境下也能持续稳定输出。它代表的不仅是一款高性能MOSFET，更是ST对质量与创新的承诺。拥抱STL7LN80K5，让我们一同将高效的电力转换，变为您产品最核心的竞争优势。

• 型号:STL7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL7LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。