STU6NF10

当您的电源转换系统需要兼顾效率与成本时，是否曾为寻找一颗性能均衡、稳定可靠的功率开关器件而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体STripFET系列中的明星产品STU6NF10。这颗N沟道MOSFET以其100V的耐压能力和6A的连续漏极电流，为您在中等功率应用领域提供了一个堪称完美的解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、优化系统性能的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STU6NF10都能凭借其低至250毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让整体效率轻松攀升。在电机驱动控制板上，无论是小型风扇还是泵类设备，其快速的开关特性和高达175°C的结温工作能力，确保了驱动响应迅捷且能在严苛环境下稳定运行。对于DC-DC转换器、电池保护电路或是照明镇流器而言，这颗芯片的稳健表现，意味着更长的使用寿命和更低的故障率，直接为您的终端产品赢得市场口碑。

选择STU6NF10，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其采用的先进STripFET技术，在硅片层面实现了卓越的功率密度和开关性能平衡。仅需10V的驱动电压即可实现完全导通，栅极电荷（Qg）低至14nC，这大大减轻了驱动电路的压力，让您的设计更简洁，系统更高效。通孔I-PAK封装不仅提供了优异的散热路径，也兼容成熟的焊接工艺，便于生产制造。我们遍布全国的ST代理商网络，能为您提供从样品申请到批量供货的全方位支持，确保您的项目从研发到量产一路畅通。立即体验STU6NF10带来的性能飞跃，为您的下一个设计注入强大动力！

• 型号:STU6NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU6NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。