STE40NK90ZD

当您的工业电源或电机驱动系统需要承受900V高压冲击，同时保持高效稳定的能量转换时，您是否在寻找一颗既能扛住严苛环境，又能简化设计、降低损耗的“心脏级”功率器件？答案就在STE40NK90ZD。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的900V耐压和40A连续电流能力，为您的高压应用筑起一道坚固而高效的防线。它不仅仅是一个开关，更是您系统可靠性、能效与功率密度的关键赋能者。

想象一下，在工业变频器、不间断电源(UPS)或电焊机等高压大功率场景中，系统需要频繁应对电压尖峰和电流冲击。STE40NK90ZD凭借其SuperFREDmesh技术，实现了极低的导通电阻（典型值仅180毫欧@20A），这意味着在导通状态下，能量损耗被大幅削减，热量产生更少，系统整体效率显著提升。其高达600W的功率耗散能力，配合ISOTOP封装优异的散热性能，确保器件即使在-65°C至150°C的宽温范围内也能稳定工作，让您的设备无惧高温挑战，延长使用寿命。

选择STE40NK90ZD，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。它简化了您的电路保护设计，强大的耐压能力减少了对外部缓冲电路的需求。同时，其优化的栅极电荷特性有助于实现更快的开关速度，提升系统动态响应。对于寻求稳定供货与技术支持的工程师，通过官方授权的ST代理商进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能获得完整的技术资料和本地化服务支持，让您的产品开发与量产之路更加顺畅。这颗芯片是您应对高压、高功率密度设计挑战的得力伙伴，助力您的产品在市场中脱颖而出。

• 型号:STE40NK90ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:826 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:25000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE40NK90ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。